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セミナーのご案内 《他社主催セミナー》

【Live配信】シリコンパワー半導体の性能向上・機能付加の最新動向と今後の展望
2024-12-11
主 催  サイエンス&テクノロジー株式会社
日 時  2024年12月11日(水) 13:00~16:30
講 師  九州大学 応用力学研究所 教授 博士(工学) 
     西澤 伸一 氏    専門:パワー半導体材料、パワーデバイスプロセス、結晶工学

聴講料  49,500円(税込、資料付き)
【2名同時申し込みで1名分無料】
※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
 
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
 1名申込みの場合:受講料 37,400円(税込)

【ZOOMによるLive配信】
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
・アーカイブ配信付  視聴期間:終了翌営業日から7日間[12/12~12/18中]を予定

受講の詳細および請求書等は、サイエンス&テクノロジー株式会社よりご案内します。
◆受講料は、銀行振込(開催日まで)にてお支払い下さい。
◆お申し込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席が可能です。
 キャンセルの場合は、サイエンス&テクノロジー株式会社の規定が適用されます。
【セミナー趣旨】
 世界的に急増するエネルギー需要と脱炭素社会を両立させるために、グリーン成長戦略において電力のグリーン化・電化がうたわれている。電力エネルギー流をつかさどる新しいパワー半導体、パワーエレクトロニクス技術の構築、およびその普及が急務となっている。
 本講演では、パワーデバイスを取り巻く環境、今後の動向について解説し、特にシリコン半導体およびIGBTを主として取り上げ、SI-IGBT性能向上、それを支える材料・プロセス技術の開発動向を紹介する。また、パワーデバイスにデジタル技術を融合することで、パワーデバイス動作性能向上に加え、機能付加など、新しい方向性を紹介する。

【セミナー講演内容】
1.グリーン社会実現へ向けて 
2.パワーデバイスの開発動向 
3.Si-IGBTの性能向上に向けて 
 3.1 スケーリングIGBT 
 3.2 ウェハおよびプロセス技術 
 3.3 ゲートドライブ技術 
4.SiおよびWBGパワーデバイスの現状と将来 
5.今後の展望
 □質疑応答□ 
※以下のNEDOプロジェクトでの取り組みを中心に、紹介させていただきます。 
1.経産省/NEDO:低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト
  (新世代Siパワーデバイス技術開発)2014~2019年度 
2.経産省/NEDO:省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業
  (大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発)2021~2025年度 
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